Требования к кандидатам:
высшее техническое образование в области микроэлектроники, физики, химии;
специализация: технология и оборудование для производства полупроводниковых и диэлектрических материалов;
наличие ученой степени: кандидат технических наук, кандидат физикоматематических наук, кандидат химических наук (допускается аспирант);
опыт работы от 5 лет на предприятиях и профильных НИИ электронной отрасли России и Белоруссии;
опыт проведения исследовательских работ (НИР/НИОКР) по оптимизации технологических процессов производства полупроводниковых и диэлектрических материалов:
- многопроволочная резка алмазированной проволокой;
- шлифование свободным абразивом;
- алмазное полирование;
- химикомеханическое полирование;
обладание навыками моделирования базовых параметров процесса ХМП и параметров подложек кремния (сапфира);
знание статистических методов оценки количественных характеристик продукции и стабильности технологического процесса;
приветствуется наличие патентов в области обработки подложек полупроводниковых и диэлектрических материалов;
желательно владение английским языком на уровне intermediate и выше.

Основные функциональные обязанности:
оптимизация технологических процессов производства подложек сапфира Ø100, 150мм на основе моделирования технологических процессов с целью достижения необходимого качества.